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Snapdragon 835 vorgestellt – der neue Chip für Galaxy S8, LG G6 und andere Topmodelle


Qualcomm hat die neuste Generation der Snapdragon Top-Prozessoren offiziell vorgestellt und damit klar gemacht, dass man auch 2017 wieder angreifen will und besonders Apples neuen A10 leistungsmäßig überholen möchte. Bereits jetzt gibt es die ersten Gerüchte, das der Chip wieder im neuen Samsung Galaxy S8 verbaut werden wird – aufgrund der guten Zusammenarbeit von Samsung* und Qualcomm ist das auch recht naheliegend.

Leider gibt die aktuelle Ankündigung des Chips noch nicht viele Details bekannt und beschränkt sich in erster Linie auf den Namen des neuen Chips (Snapdragon 835) und die Fertigungsweise. Qualcomm setzt dabei mittlerweile auf ein 10nm Verfahren, das in Zusammenarbeit mit Samsung* realisiert wird und bei dem man noch mehr Leistung auf noch weniger Platz bekommt. Im Original heißt es dazu:

10nm chips have the potential to revolutionize mobile tech for everyone from manufacturers to users. It makes perfect sense, then, that Qualcomm Technologies is announcing a collaboration with Samsung* Electronics to use its revolutionary 10nm FinFET process for the newly announced premium-tier Qualcomm Snapdragon 835 processor.

Bis zu 27 Prozent mehr Leistung

Diese neue Technik soll den Chip deutlich schneller machen. Qualcomm spricht in der Ankündigung davon, dass der 835 Prozessor etwa 27 Prozent mehr Leistung haben soll also der Vorgänger Snapdragon 821. Besonders interessant ist auch, dass man den Energieverbrauch der Chips reduziert hat. Der Prozessor wird etwa 40 Prozent weniger Energie verbrauchen, als das Vorgänger-Modell. Das schon nicht nur den Akku sondern dürfte auch Vorteile bei der Abwärme bringen. Möglicherweise kommt der neue Prozessor daher mit geringere Heatpipes zum Ableiten der Wärme aus, was noch mehr Platz in den Geräten frei macht. Oder umgekehrt können die Hersteller mit diesem Chip bei gleich großen oder sogar kleineren Akkus längere Laufzeiten erreichen.

Quick Charge 4 wird unterstützt

Qualcomm hat neben dem neuen Prozessor auch die nächste Generation der Schnellladetechnik Quick Charge offiziell eingeführt. Diese wird bereits im Snapdragon 835 verfügbar sein und soll die Aufladung von Akkus noch mal schneller machen. Dabei wird es möglich sein, die Hälfte der Akkuleistung in etwa 15 Minuten aufzuladen. Dazu unterstützt die neue Technik auch USB Type-C und USB-PD vollständig.

Neben dem Laden gibt es noch einige weitere neuen Features. Das Unternehmen schreibt dazu:

Quick Charge 4 features the third release of INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), a unique power-management algorithm designed by Qualcomm Technologies. INOV now includes real-time thermal management, a technology industry first, which is designed to advance charging optimization by automatically determining and selecting the optimal power transfer level for a given thermal condition.

Insgesamt hat Qualcomm damit ein sehr interessantes Paket für 2017 zusammengestellt, das sowohl bei der Leistung als auch beim Laden den Prozessoren von Apple durchaus das Leben schwer machen könnte. Apple punkte beim A10 aber nach wie vor bei der Leistung der einzelnen Kerne, während es bei den ersten Benchmarks so aussieht, als wäre der Snapdragon 835 bei der Gesamt-Leistung vorn. Das Galaxy S8* dürfte also in jedem Fall mit einer guten Performance aufwarten können und falls sich der deutlich geringe Strom-Verbrauch in der Praxis bestätigt, könnte sich auch die Laufzeit der Geräte erhöhen. Allerdings sind ja größer Displays angekündigt – das dürfte den Verbrauch wieder in die Höhe treiben.



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