Xiaomi Mi 12 – neue technische Daten geleakt

Xiaomi Mi 12 – weitere technische Daten geleakt – Es gibt einige neue Details zu den Planungen von Xiaomi zum Mi 12. Wenn die geleakten Daten stimmen, plant das Unternehmen einen Kamera-Hauptsensor mit 200 Megapixeln, ein schnelles Laden mit 120 Watt und auch ein drahtloses Laden mit bis zu 100 Watt (eventuell auch nur 80 Watt). Dazu soll es den neuen Snapdragon 895 Prozessor geben, aber das war bereits in früheren Leaks so erwartet worden. Dazu soll es wohl mindestens zwei Version geben, aus der Erfahrungen der letzten Modellreihen kann man wohl aber zumindest ein Xiaomi Mi 12, ein Mi 12 lite und wohl auch wieder ein Mi 12 ultra erwarten. Bis zum Start (wohl wieder im Dezember) werden aber noch einige Monate vergehen, es kann also auch noch Änderungen geben. Das neue Samsung Galaxy S22 soll einen Monat später erscheinen und im Januar 2022 vorgestellt werden.

Xiaomi Mi 12 – das leistet der neue Prozessor

Xiaomi wird im nächsten Jahr einen Nachfolger für die aktuellen Xiaomi Mi 11 Modelle auf den Markt bringen und mit sehr großer Wahrscheinlichkeit werden die neuen Topmodelle der Xiaomi MI 12 Serie wieder auf den Spitzenprozessor von Qualcomm setzen. Die Mi 11 arbeiten mit dem Snapdragon 888 SoC und zu dessen Nachfolger (bisher noch ohne Namen) gibt es inzwischen einige technische Daten. Der neue Chipsatz hat dabei die Modellbezeichnung SM8450.

Dieser neue SoC wird unter dem Arbeitsnamen Waipio entwickelt und es gibt bereits seit einigen Monaten Hinweise auf das neue Modell. Nun gibt es weitere Leaks zu den technischen Daten des neuen Chipsatzes und damit auch Hinweise, was an Leistung und an Funktionen zu erwarten ist. Die Bezeichnungen SM8450 ist dabei nur die interne Modellnummer und es ist nicht sicher, ob der SoC auch unter diesem Namen auf den Markt kommen wird. Der aktuelle Snapdragon 888 SoC wird auch als SM8350 geführt.

Laut den geleakten Angaben auf Twitter soll das Setup wie folgt aussehen:

  • 4nm process,
  • brand new Kryo 780 CPU based on Cortex-v9,
  • Adreno 730 GPU,
  • Spectra 680 ISP,
  • integrated X65 5G baseband,
  • support four Channel PoP LPDDR5

Mit dem 4 Nanometer Fertigungsverfahren können noch mehr Schaltkreise auf dem gleichen Raum integriert werden und damit wird sich die Leistung im Vergleich zu den aktuellen Chips im 5nm Verfahren nochmal deutlich steigern. Das integrierte 5G Modem ist mittlerweile Standard geworden und senkt sowohl die Anforderungen als auch den Energieverbrauch für die 5G Nutzung. Zu den neuen ARM Kernen gibt es ebenfalls bereits erste Details.

In den letzten Jahren ist die Hitzeentwicklung immer mehr in den Fokus gerückt, die SoC könnten teilweise noch mehr leisten, müssen aber drosseln, weil die Hitze nicht abgeführt werden kann. Leider gibt es noch keine Details wie der neue SM8450 sich in dieser Hinsicht verhält, aber man kann aufgrund des 4nm Verfahrens wohl davon ausgehen, dass er eher noch mehr Abwärme produzieren wird.

Bild: Xiaomi Mi 11

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